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160 天然优势，背靠祖国
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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的基础芯片。
三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。
第一块256K DRAM投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。
第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。
1989年三星第一块4M DRAM与日本人几乎是同时投放市场的。
1992年，三星开始领先日本，推出全球第一个64M DRAM产品。
而同时期的日本半导体工业，从1985年开始日本经济进入泡沫化，全民炒房。
1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。
1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降低到只有2650亿日元，下降幅度达80%，这就给韩国人反超的机会。
这就是大家所熟悉的，韩国人在半导体领域的所谓的第一次“反周期投资”。
从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的基础上，通过压强原则，扩大对日本人的竞争优势，完成了从追赶到超越的大逆袭过程。
1990年，16M DRAM，韩国人推出的时间滞后于日本人3个月。
1992年，64M DRAM，韩国人略微领先于日本人。
到1998年，韩国人全球第一个开发256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。
到1999年，韩国人全球第一个开发1G DRAM。
在著名的《科技红利大时代》一书中，首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。
从科技红利思想的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过提高压强系数，实现对日本人的逆袭。
1992年韩国人64M DRAM略微领先于日本人和米国人成功研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。
1993年反而通过压强原则，重点攻击，科技红利之有效研发投入同比增长70.19%，巩固对日本人的领先优势。
1995年韩国人再次快速提升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度提升，同比增速高达96.82%。
1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。
这才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的全球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。
第三，产业链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。
上世纪90年代，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。
韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。
为了获取先进技术，韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合资公司。
由此，韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。
第四，产业链横向扩张，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。
以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源。
从米国SUN公司引进JAVA处理器技术。
从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。
从英国ARM引进音视频处理芯片技术。
与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。
客观而言，产业链横向扩张对于天朝是很难复制的，因为西方列强根本不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。
即使天朝诸多企业溢价用巨额资金购买也是诸多困难。
但坚持产业链的横向扩张，这是成为半导体强国的必经之路。
1992年三星全球第一个成功研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。
采用的主要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。
在集成度方面，韩国人是日本人的360%。
依靠64M DRAM，三星超越日本NEC，首次成为全球第一大DRAM内存制造商。
此后，韩国开始制霸之路，连续25年蝉联世界第一。
韩国成为全球半导体内存市场第四个霸主。
1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居世界第一。
日本NEC居第二。
韩国现代以21.26亿美金居第三位。
韩国LG以15.4亿美金居第九位。
不到十年时间，韩国人一举打垮日本人，牢牢占据了全球半导体内存市场。
至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战争，成为全球半导体工业大国。
再次回顾韩国人崛起的历史过程。
1968-1980年，在米国人帮助下，韩国人完成追赶，初步建立了半导体工业体系。
半导体工业产值从不足2000万美元，增加到15亿美金以上。
半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。
1980-1985年，韩国人在米国人扶持下，仅仅用5年时间快速完成并掌握16K、64K 、256K DRAM的关键技术的研制，一举超越日本人过去三十年的所有努力。
5年时间，韩国半导体工业产值达41.87亿美金，期间增长176%。
韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增长113%。
1986-1997年，第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争爆发。
米国人“扶韩抗日”，在米国人全力扶持下，特别是1985、1991年《美日半导体协议》的签署，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追赶到领先。
这一时期，韩国半导体工业产值超过225亿美金，期间增长437%。
韩国半导体出口产值131亿美金，期间增长418%。
韩国人完成从半导体发展天朝家到全球半导体大国的转变。
1998-2010年的第三次DRAM世界大战-韩台半导体战争，韩国人完成了自身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，最终实现了从半导体大国蜕变为半导体强国。
在这一时期，韩国人主要的成功经验有：
第一，挺进天朝大陆市场，构筑广阔的战略纵深。
如同日韩半导体战争中，米国人放开米国国内市场给韩国人一般。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广阔的战略纵深。
庞煖们以海力士为例：
陷入1997年东南亚金融危机的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的价格，将TFT-LCD部门整体售给京东方，海力士就此专注于DRAM领域，并获得宝贵的资金和天朝市场。
2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。
其中，海力士和意法半导体出资10亿美金，主要是2亿美金的二手设备折价、5.5亿美金现金和2.5亿美金股东贷款。另外10亿美金由无锡市政府承担。
另外，在20亿美金总投资之外，无锡市政府还承担厂房建设，无锡市政府一共出资3亿美元建设两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体使用。
2006年海力士90纳米技术生产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超过95%。
工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行组成贷款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金贷款。
海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依靠天朝资金、土地、工人和天朝市场，用区区3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。
面对东南亚危机，依托天朝市场战略纵深，韩国人仅用2年时间就恢复了元气。
特别是海力士，2000年，DRAM整体月产量由第三季度的6500万颗，第四季度就快速扩增到8000万颗，增长了23.07%。
同时128M以上产品的生产比重由20%提高到36%。
128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗提高到1400万颗，增长了115%。
256M DRAM：4个月内，月产量由40万颗提高到140万颗，增长了250%，生产比重由2.4%提高到6%。
2008年全球金融危机爆发后，一年时间内，全球DRAM产业累计亏损超过125亿美金，苔弯省DRAM产业更是全线崩盘。
南亚科，从2007年起连续亏损六年，累计亏损1608.6亿元新台币(49亿美金)。
华亚科技从2008年起连续亏损五年，累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。
这两家由台塑集团投资的DRAM厂，一共亏损2413.08亿元(73亿美金)。
其他苔弯DRAM企业亏损分别为，力晶亏损565亿元，茂德亏损360.9亿元。
苔弯五家DRAM厂几乎每天亏损1亿元，合计亏损1592亿元新台币(48亿美金)。
反观韩国人，依托天朝大陆市场的战略纵深，凭借无锡海力士的投产，海力士仅仅一年时间就恢复元气。
2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。
2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。
2009年第三季度，海力士扭亏为盈。
2010年第一季度，海力士净利润暴涨到7.38亿美金。
2010年全年，海力士全球销售额达到12万亿韩元(107亿美金)，净利润高达26.7亿美金。
金融危机中，依托天朝大陆市场，韩国人化“危”为“机”。
随后，海力士又向天朝商务部提出，增资15亿美金再建一座12寸晶圆厂(80纳米工艺)并迅速通过审批。
这就是韩国人所谓的“反周期投资”。
再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战斗”中，彻底打垮老对手日本东芝。
2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH领域展开全球竞争。
当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。
为了拉开与东芝的差距，三星决定新建NAND FLASH工厂。
经过谈判，三星最终选择落户天朝西安，项目总投资300亿美金，分三期建设。
西安市为此项目提供了巨额补贴，包括：
1、三星需要的130万平方米厂房，由西安市建设并免费提供1500亩土地。
2、2、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。
3、3、西安市财政对投资额进行30%的补贴。
4、4、西安市对所得税征收，前十年全免，后十年半额征收。同时西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施，总的补贴金额保守估计在300亿元以上。
庞煖们需要注意的是，2011年三星半导体全球销售金额也不过才285.63亿美金，300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NAND FLASH战斗”的意义之重大性，不言而喻。
当三星的西安项目落成之后，2016年东芝就过不下去了，2017年东芝不得不出售存储部门。
韩国人几乎是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NAND FLASH战斗”，这就是韩国人的“反周期投资”。
今日，还有多少人记得，NAND FALSH是日本人发明的呢？
早在1980年，日本东芝的藤尾增冈招聘4名工程师启动一个秘密的项目以研发下一代存储芯片，实现存储大量数据，并且让用户可以买得起。藤尾增冈声称：“庞煖们知道只要晶体管在尺寸上降下来，那么芯片的成本也将会下降。”很快推出了一款EEPROM的改良产品，记忆单元由1个晶体管组成。在当时，常规的EEPROM每个记忆单元需要2个晶体管，这个小小的不同对价格带来了巨大的影响，日本人将这个芯片称为FLASH，这个名字也是因为芯片的超快擦除能力，FLASH芯片基于NAND技术，这一技术可以提供更高容量的存储，并且更容易制造。1989年，东芝首款NAND FLASH上市。
对天朝大陆市场战略纵深，日本人又是如何态度？
嗯，从小泉纯一郎到现在的安倍，他们天天忙着来种花家闹事，比如钓鱼岛。
钓鱼岛主权自古以来就属于天朝人的！干你大爷的小日本！
天朝大陆市场这一广阔的战略纵深，在2008年全球金融危机，使得韩国人仅仅一年时间就恢复元气进而彻底打垮苔弯人，在全球半导体存储器的垄断地位一直延续至今。
全球半导体产业的竞争，已经不仅是科技的竞争，更是涵盖政治、经济等综合实力的国运之战。
具有一个广阔的战略市场纵深，意义是非凡的。
这就是庞煖做为一个天朝人做半导体产业的最大优势，天然的祖国优势，背靠着一个巨大无比的战略市场纵深。
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。也是在计算机、手机等设备中最常见的基础芯片。
三星第一块64K DRAM投放市场时是1984年，比日本人足足晚了40个月。
第一块256K DRAM投放市场时是1986年，比日本人晚了24个月。
第一块1M DRAM投放市场时是1986年，比日本人只晚了12个月。
1989年三星第一块4M DRAM与日本人几乎是同时投放市场的。
1992年，三星开始领先日本，推出全球第一个64M DRAM产品。
而同时期的日本半导体工业，从1985年开始日本经济进入泡沫化，全民炒房。
1985年日本人砍掉了40%的设备更新投资和科技红利投入。
1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元降低到只有2650亿日元，下降幅度达80%，这就给韩国人反超的机会。
这就是大家所熟悉的，韩国人在半导体领域的所谓的第一次“反周期投资”。
从1992-1999年，韩国人通过持续科技红利之有效研发投入进一步夯实64M DRAM胜利果实的基础上，通过压强原则，扩大对日本人的竞争优势，完成了从追赶到超越的大逆袭过程。
1990年，16M DRAM，韩国人推出的时间滞后于日本人3个月。
1992年，64M DRAM，韩国人略微领先于日本人。
到1998年，韩国人全球第一个开发256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。
到1999年，韩国人全球第一个开发1G DRAM。
在著名的《科技红利大时代》一书中，首次提出科技红利、有效研发投入和压强系数等科技红利的研究思想。
从科技红利思想的角度，庞煖们看看韩国人又是如何通过提高压强系数，实现对日本人的逆袭。
1992年韩国人64M DRAM略微领先于日本人和米国人成功研制后，韩国人并没有停下科技红利之有效研发投入。
1993年反而通过压强原则，重点攻击，科技红利之有效研发投入同比增长70.19%，巩固对日本人的领先优势。
1995年韩国人再次快速提升压强系数，科技红利之有效研发投入再次大幅度提升，同比增速高达96.82%。
1996-1997年连续两年保持高位压强系数状态。
这才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的全球第一个推出市场，从而完美的实现大逆袭。
第三，产业链垂直一体化，加强上游设备和电子化学品原材料的国产化。
上世纪90年代，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和电子化学品原料供应链。
韩国工贸部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。
为了获取先进技术，韩国人以优厚条件招揽米国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商，在韩国设立合资公司。
由此，韩国人半导体产业链上游关键设备和电子化学品原材料初具规模。
第四，产业链横向扩张，从存储器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。
以三星为例，通过与米国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源。
从米国SUN公司引进JAVA处理器技术。
从法国STM(意法半导体)引进DSP芯片技术。
从英国ARM引进音视频处理芯片技术。
与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。
客观而言，产业链横向扩张对于天朝是很难复制的，因为西方列强根本不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。
即使天朝诸多企业溢价用巨额资金购买也是诸多困难。
但坚持产业链的横向扩张，这是成为半导体强国的必经之路。
1992年三星全球第一个成功研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。
采用的主要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。
在集成度方面，韩国人是日本人的360%。
依靠64M DRAM，三星超越日本NEC，首次成为全球第一大DRAM内存制造商。
此后，韩国开始制霸之路，连续25年蝉联世界第一。
韩国成为全球半导体内存市场第四个霸主。
1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居世界第一。
日本NEC居第二。
韩国现代以21.26亿美金居第三位。
韩国LG以15.4亿美金居第九位。
不到十年时间，韩国人一举打垮日本人，牢牢占据了全球半导体内存市场。
至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战争，成为全球半导体工业大国。
再次回顾韩国人崛起的历史过程。
1968-1980年，在米国人帮助下，韩国人完成追赶，初步建立了半导体工业体系。
半导体工业产值从不足2000万美元，增加到15亿美金以上。
半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。
1980-1985年，韩国人在米国人扶持下，仅仅用5年时间快速完成并掌握16K、64K 、256K DRAM的关键技术的研制，一举超越日本人过去三十年的所有努力。
5年时间，韩国半导体工业产值达41.87亿美金，期间增长176%。
韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增长113%。
1986-1997年，第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争爆发。
米国人“扶韩抗日”，在米国人全力扶持下，特别是1985、1991年《美日半导体协议》的签署，到1994年韩国人在64M、256M DRAM完成对日本人的从追赶到领先。
这一时期，韩国半导体工业产值超过225亿美金，期间增长437%。
韩国半导体出口产值131亿美金，期间增长418%。
韩国人完成从半导体发展天朝家到全球半导体大国的转变。
1998-2010年的第三次DRAM世界大战-韩台半导体战争，韩国人完成了自身DRAM核心技术的“米国基因”转型为“独立自主基因”，最终实现了从半导体大国蜕变为半导体强国。
在这一时期，韩国人主要的成功经验有：
第一，挺进天朝大陆市场，构筑广阔的战略纵深。
如同日韩半导体战争中，米国人放开米国国内市场给韩国人一般。挺进天朝大陆市场，韩国人具有了广阔的战略纵深。
庞煖们以海力士为例：
陷入1997年东南亚金融危机的韩国海力士(Hynix)，以3.8亿美金的价格，将TFT-LCD部门整体售给京东方，海力士就此专注于DRAM领域，并获得宝贵的资金和天朝市场。
2004年，海力士和意法半导体在无锡设立12寸晶圆厂，项目总投资20亿美金。
其中，海力士和意法半导体出资10亿美金，主要是2亿美金的二手设备折价、5.5亿美金现金和2.5亿美金股东贷款。另外10亿美金由无锡市政府承担。
另外，在20亿美金总投资之外，无锡市政府还承担厂房建设，无锡市政府一共出资3亿美元建设两座占地54万平方米，面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体使用。
2006年海力士90纳米技术生产的8英寸晶圆顺利下线，合格率超过95%。
工商银行江苏分行牵头，11家中资银行、9家外资银行组成贷款团对无锡海力士项目放贷5年期的7.5亿美金贷款。
海力士拿着韩国利川工厂淘汰的8英寸晶圆设备，依靠天朝资金、土地、工人和天朝市场，用区区3亿美金撬动了一项20亿美金的投资。
面对东南亚危机，依托天朝市场战略纵深，韩国人仅用2年时间就恢复了元气。
特别是海力士，2000年，DRAM整体月产量由第三季度的6500万颗，第四季度就快速扩增到8000万颗，增长了23.07%。
同时128M以上产品的生产比重由20%提高到36%。
128M DRAM：3个月内，月产量由650万颗提高到1400万颗，增长了115%。
256M DRAM：4个月内，月产量由40万颗提高到140万颗，增长了250%，生产比重由2.4%提高到6%。
2008年全球金融危机爆发后，一年时间内，全球DRAM产业累计亏损超过125亿美金，苔弯省DRAM产业更是全线崩盘。
南亚科，从2007年起连续亏损六年，累计亏损1608.6亿元新台币(49亿美金)。
华亚科技从2008年起连续亏损五年，累计亏损804.48亿元新台币(24.4亿美金)。
这两家由台塑集团投资的DRAM厂，一共亏损2413.08亿元(73亿美金)。
其他苔弯DRAM企业亏损分别为，力晶亏损565亿元，茂德亏损360.9亿元。
苔弯五家DRAM厂几乎每天亏损1亿元，合计亏损1592亿元新台币(48亿美金)。
反观韩国人，依托天朝大陆市场的战略纵深，凭借无锡海力士的投产，海力士仅仅一年时间就恢复元气。
2009年第一季度，海力士净亏损为1.19万亿韩元(9.33亿美金)。
2009年第二季度，净亏损仅为580亿韩元(0.45亿美金)。
2009年第三季度，海力士扭亏为盈。
2010年第一季度，海力士净利润暴涨到7.38亿美金。
2010年全年，海力士全球销售额达到12万亿韩元(107亿美金)，净利润高达26.7亿美金。
金融危机中，依托天朝大陆市场，韩国人化“危”为“机”。
随后，海力士又向天朝商务部提出，增资15亿美金再建一座12寸晶圆厂(80纳米工艺)并迅速通过审批。
这就是韩国人所谓的“反周期投资”。
再比如，三星，依托天朝大陆市场纵深，在“韩日NAND FLASH战斗”中，彻底打垮老对手日本东芝。
2011年韩国三星与日本东芝在NAND FLASH领域展开全球竞争。
当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。
为了拉开与东芝的差距，三星决定新建NAND FLASH工厂。
经过谈判，三星最终选择落户天朝西安，项目总投资300亿美金，分三期建设。
西安市为此项目提供了巨额补贴，包括：
1、三星需要的130万平方米厂房，由西安市建设并免费提供1500亩土地。
2、2、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。
3、3、西安市财政对投资额进行30%的补贴。
4、4、西安市对所得税征收，前十年全免，后十年半额征收。同时西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施，总的补贴金额保守估计在300亿元以上。
庞煖们需要注意的是，2011年三星半导体全球销售金额也不过才285.63亿美金，300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NAND FLASH战斗”的意义之重大性，不言而喻。
当三星的西安项目落成之后，2016年东芝就过不下去了，2017年东芝不得不出售存储部门。
韩国人几乎是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NAND FLASH战斗”，这就是韩国人的“反周期投资”。
今日，还有多少人记得，NAND FALSH是日本人发明的呢？
早在1980年，日本东芝的藤尾增冈招聘4名工程师启动一个秘密的项目以研发下一代存储芯片，实现存储大量数据，并且让用户可以买得起。藤尾增冈声称：“庞煖们知道只要晶体管在尺寸上降下来，那么芯片的成本也将会下降。”很快推出了一款EEPROM的改良产品，记忆单元由1个晶体管组成。在当时，常规的EEPROM每个记忆单元需要2个晶体管，这个小小的不同对价格带来了巨大的影响，日本人将这个芯片称为FLASH，这个名字也是因为芯片的超快擦除能力，FLASH芯片基于NAND技术，这一技术可以提供更高容量的存储，并且更容易制造。1989年，东芝首款NAND FLASH上市。
对天朝大陆市场战略纵深，日本人又是如何态度？
嗯，从小泉纯一郎到现在的安倍，他们天天忙着来种花家闹事，比如钓鱼岛。
钓鱼岛主权自古以来就属于天朝人的！干你大爷的小日本！
天朝大陆市场这一广阔的战略纵深，在2008年全球金融危机，使得韩国人仅仅一年时间就恢复元气进而彻底打垮苔弯人，在全球半导体存储器的垄断地位一直延续至今。
全球半导体产业的竞争，已经不仅是科技的竞争，更是涵盖政治、经济等综合实力的国运之战。
具有一个广阔的战略市场纵深，意义是非凡的。
这就是庞煖做为一个天朝人做半导体产业的最大优势，天然的祖国优势，背靠着一个巨大无比的战略市场纵深。